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HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRFG35010NT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return
Loss versus Output Power
10
?60
0
0.1
?60
0
?10 ?10IRL
ACPR
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.66 P/A 3GPP W?CDMA
ΓS
= 0.898
?134.03, ΓL
= 0.828
?140.67
?20
?20
?30 ?30
?40
?40
?50 ?50
1
ACPR (dBc)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Transducer Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
, POWER ADDED EFFICIENCY (%)
PAE
G
T
, TRANSDUCER GAIN (dB)
10
9.5
12.5
0.1
0
60
GT
PAE
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W?CDMA
ΓS
= 0.898
?134.03, ΓL
= 0.828
?140.67
12
11.5
50
11
40
10.5
30
10
20
1
10
NOTE:
All data is referenced to package lead interface. ΓS
and
ΓL
are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
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